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Intel planea 11 nm en 2015

por : Juan Ranchal: 29 Oct 2009, 9:17

El gigante del chip planea importantes avances en procesos tecnológicos de fabricación hasta llegar a los 11 nanómetros en 2015 según el roadmap de la compañía

Antes, en el último tramo de este año, Intel entregará a los fabricantes los primeros chips con 32 nanómetros que estarían disponibles en el primer trimestre de 2010. Dos años después, a finales de 2011 migraría a procesos de 22 nanómetros.

En el último cuarto de 2013 llegarían los 15 nanómetros, para finalizar a finales de 2015 con el mencionado proceso de fabricación de 11 nanómetros. Para el futuro, se citan los 7 nanómetros, una tecnología ya de auténtica miniatura con chips un 80% más pequeños que el anterior proceso.

Estos avances tecnológicos significarán microprocesadores cada vez más pequeños, de menos consumo, más baratos de fabricar y de momento cumplir la Ley de Moore (co-fundador de Intel) que expresa que aproximadamente cada 18 meses se duplica el número de transistores en un circuito integrado ¿Hasta cuándo la Ley de Moore y la era del silicio?


Comentarios

El link correcto es:
http://www.fudzilla.com/content/view/16171/66/

  • por Silicon
  • 29 Oct 2009, 9:54
  • comment

Editado. Gracias

  • por jranchal
  • 29 Oct 2009, 10:13
  • comment

[...] Intel planea 11 nm en 2015 | The Inquirer ES http://www.theinquirer.es/2009/10/29/intel-planea-11-nm-en-2015.html – view page – cached El gigante del chip planea importantes avances en procesos tecnológicos de fabricación hasta llegar a los 11 nanómetros en 2015 según el roadmap de la — From the page [...]

y despues que vendrá los angstroms? que es mas pequeño que el nanometro

hace tiempo tengo una duda a ver si alguno me puede ayudar a responder esta interrogante.

El radio de van der Waals del atomo de silicio, es de 210 picometros (2.1 A, o 0.21 nanometros). Por lo tanto su diametro seria obviamente de 410 picometros (4.2 A, o 0.42 nanometros).

La pregunta es: Como miden el tamano de el transistor??

Yo asumo que si dicen que mide el transistor 7 nanometros, como asegura intel que llegaran, en alguna cara, o lado del transistor medira esos 7 nm, y por lo tanto ese lado tendra 16 atomos (asumiendo que el transistor es 100% silicio)??

SI es asi, entonces en la otra decada estariamos proximos a llegar al limite fisico, por lo menos a nivel del silicio.

ademas, por lo que recuerdo los transistores son NPN o PNP, por lo tanto, asumo que mas aun, esos 16 atomos se deben dividir en 3 partes, para seguir siendo transistor.

La verdad trate de buscar en internet, pero no encontre respuestas a mis dudas, alguien sabe algo?

Quizas estoy haciendo supuestos incorrectos. Espero que me puedan aportar aunque sea pistas para tratar de encontrar una respuesta.

Saludos

Me pregunto, cuando se alcance el límite físico, hacia dónde se encaminará el diseño de chips para continuar con la carrera de “velocidad y rendimiento” de cálculo. Tengo mucha curiosidad, porque a día de hoy, hay varias posibilidades conocidas, pero no sabemos qué piensa la industria a este respecto. Aunque para esto pueden quedar de 6 a 12 años, y eso es una eternidad tecnológica.
Pd: Serroba, mis conocimientos técnicos en este campo son cercanos a cero. Siento no poder ayudarte.
Talavista

  • por inolvidable
  • 29 Oct 2009, 13:35
  • comment

@serroba, yo tampoco sé cuantos átomos forman actualmente un transistor. Pero sí te puedo decir que ya estamos cerca del límite de integración, no hay que esperar otra década.

Y es que cuando ya no puedes considerar los electrones como un chorro sino individualemente empieza a entrar en escena la mecánica cuántica, y por el principio de incertidumbre su comportamiento pasa a ser impredecible.

Para aumentar el rendimiento pronto tendrán que centrarse más en arquitectura (multinúcleos, …), nuevas tecnologías (procesadores ópticos, cuánticos, …), nuevos materiales (grafenos, …), etc. … y no en la simple miniaturización.

  • por Marc
  • 29 Oct 2009, 13:48
  • comment

Aparte de la tecnología de miniaturización se necesitan otras tecnologías complementarias para el correcto funcionamiento de los transistores a tan pocos nanómetros, Intel con su tecnología está comportandose como un auténtico lider en hardware, pocos podrán seguirle

  • por LUIS
  • 29 Oct 2009, 14:20
  • comment

Es posible que me equivoque porque hace algunos años que lo estudié, pero me suena que la medida esa famosa de los nanometros no es de todo el transistor, sino el ancho de la “puerta”, que si no recuerdo mal es por donde pasan las cargas eléctricas.

http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconductors/images/mosfet.jpg

Este caso es de un MOSFET, pero para que te hagas una idea seria la anchura de la gate (puerta)

  • por Raul
  • 29 Oct 2009, 15:18
  • comment

#Serroba, tu hablas de transistores bipolares, en este caso son transistores de efecto campo como un mosfet.

Serroba: Más que el tamaño del transistor es la resolución de la tecnología. Con una tecnología de 22 nm se pueden hacer pistas de 22 nm de ancho (de óxido, de sicilio, de metal, etc). Y sí, es cierto, cada “lado” tiene cada vez menos átomos.

  • por pepito
  • 29 Oct 2009, 16:01
  • comment

#inolvidable

Pues la respuesta ya la ha dado Marc en gran medida, y sino se atascan en nuevos materiales/tecnologías tienen la posibilidad de crear procesadores de varias plantas (+ caros) y aumentar de tamaño hacia un multiproceso superescalar, hasta el máximo posible que son procesadores con forma esférica (el electrón así puede viajar a la misma distancia de un punto a otro), o incluso en diferentes capas de la esfera y cada capa exterior a menos velocidad, que no necesariamente con forma externa esférica pues otros circuitos complementarios pueden estar fuera de la esfera. Tienen muchos caminos por donde caminar valga la redundancia

  • por Victor_Js
  • 29 Oct 2009, 20:28
  • comment

El verdadero problema es el ruido y la pérdida de energía por calor, por eso con los nuevos procesos de fabricación agregan más transistores en lugar de aumentar la frecuencia.

Hace unos meses leí una noticia de un estudio sobre un nuevo material aislante que podía disminuir el ruido en un 30%(si no recuerdo mal).

  • por magtec
  • 30 Oct 2009, 3:50
  • comment

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