SK Hynix e IBM trabajan en la nueva generación de memorias de cambio de fase con acceso aleatorio, conocidas bajo las siglas PcRAM y que están preparadas para trabajar con extensos volúmenes de datos.
Song Hyeon-jeong, máximo responsable de la empresa coreana SK Hyinx, ha explicado que su colaboración con IBM les permitirá competir en mejores condiciones contra los nuevos chips que debuten en el futuro.
PcRAM es un chip de memoria no volátil, que gracias al empleo de cristal de calcogenuro puede cambiar de estado y que permite almacenar una elevada cantidad de información, aunque en la parte negativa, hay que apuntar que su velocidad de funcionamiento es inferior a la de los chips DRAM.
El acuerdo entre SK Hynix e IBM especifica que uno de sus objetivos es el desarrollo de los chips PcRAM para introducirlos en dispositivos como smartphones y tabletas.
En ese sentido, una ventaja que ofrece la nueva tecnología de memorias PcRAM es el ahorro de costes en la producción ya que cuentan con una estructura bastante simple.
Por último, recordar que la compañía coreana también trabaja al lado de la japonesa Toshiba en el desarrollo de la memoria magnoresistiva de acceso aleatorio (MRAM), y junto a HP en la conocida como memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM), que en el futuro podría sustituir a la memoria Flash.
vINQulos
Mas lenta que la memoria ram no volátil, no hay problema, por ahora todo está diseñado para que se trabaje con una memoria volátil por entremedio, por tanto estas memorias PcRAM no volátiles podrian ser ideales para sustituir las celulas MLC o SLC de los SSD, dandoles gran capacidad de almacenamiento y seguramente mucha mas velocidad, siendo mas lentas que una memoria ram, pero que mas da, que queremos un disco SSD que vaya a 14800MB/s de hoy a mañana? Ya será un enorme avance con que dupliquen la velocidad de las celulas actuales SLC o MLC dando mucha mas capacidad por un precio muy asequible (al ser tan simples como dicen, serán baratas de fabricar).
Saludos