El avance de las memorias NAND es imparable, y en 10 meses hemos visto cómo Samsung ha pasado de los 16 a los 64 Gbits de capacidad en un chip de memoria NAND Flash que suponen todo un avance para … Sigue leyendo →

Las rebajas constantes que se han producido durante todo el año en este sector empiezan a pasar factura a los fabricantes, alcanzan perdidas de cien mil dolares por mes, y no parece que vayan a recuperarse.

Las nuevas memorias STT-RAM desarrolladas por IBM y TDK aplican un nuevo concepto que supone una evolución de las memorias RAM no volátiles tradicionales.

El descalabro de los precios de los chips de DRAM parece haber tocado fondo, y se preparan para aumentar poco a poco, según dicen analistas de iSuppli.

Ya se vieron algunas imágenes durante el COMPUTEX, pero ahora es oficial, la P5K3 Premium llevará 2 Gbytes de memoria DDR3 integradas.

Al contrario que los kits que habíamos visto hasta ahora de 2×2 Gbytes, este “quad kit”, consiste en cuatro módulos de 1 Gbyte.

JEDEC, la asociación de estándares de memoria, confirma que ya ha sido formalmente completado el desarrollo y publicación del estándar DDR3.

Computex 2007 – Este tipo de módulos son muy nuevos, pero no demasiado rápidos – ¿o sí lo son? Los vendedores de memorias de alta gama están forzándolas al máximo. Y afortunadamente, se centran tanto en la latencia como en … Sigue leyendo →

El artículo de TechWorld desvela algunas de las claves de una prometedora tecnología de memoria: las llamadas Phase-Change Random Access Memory podrían cambiar el panorama actual de las memorias Flash y DRAM.

La tercera generación de módulos DDR sigue avanzando a pasos de gigante su adopción por parte del mercado. Inicialmente destinada a tarjetas gráficas, este tipo de memoria pronto hará su aparición en nuestros PCs. ¿Qué ventajas ofrecerá?