Hitachi ha presentado en sociedad el disco duro externo más fino de los que se comercializan en todo el mundo, con tan sólo 9,9 milímetros de grosor.
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Publicado el 3 de noviembre de 2010 por Helga Yagüe
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Las dos compañías japonesas han unido sus fuerzas para desarrollar las memorias ReRAM (Resistive Random Access Memory), llamadas a ser las sustitutas de las memorias NAND y DRAM.
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Publicado el 13 de octubre de 2010 por Helga Yagüe
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El fabricante promete una perfecta combinación “de rendimiento y grandes características” y mejores capacidades multimedia.
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Publicado el 11 de octubre de 2010 por Helga Yagüe
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La Unión Europea prepara sanciones masivas para los principales fabricantes mundiales de chips de memoria. Nada menos que nueve compañías estarían –supuestamente- metidos en un gran acuerdo para fijar los precios –naturalmente al alza- y obviamente desplumar a los sufridos … Sigue leyendo →
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Publicado el 19 de mayo de 2010 por Juan Ranchal
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Corsair se pone a la cabeza mundial de frecuencias de memorias en doble canal para procesadores Phenom II al alcanzar 2287,6 MHz con sus Dominator GTX4.
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Publicado el 14 de mayo de 2010 por Juan Ranchal
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La compañía estadounidense anuncia nueva serie de unidades Flash que combinan capacidad de almacenamiento de 64 GB, alto rendimiento de hasta 34 Mbytes por segundo en modo lectura y extrema durabilidad.
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Publicado el 20 de abril de 2010 por Juan Ranchal
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La compañía taiwanesa especializada en la fabricación de memorias para ordenador y unidades de estado sólido, reclama la corona de velocidad con el anuncio de un kit de módulos DDR3 volando a 2.500 MHz.
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Publicado el 9 de abril de 2010 por Juan Ranchal
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Seguramente muchos os preguntaréis como es posible que una tarjeta microSD sea capaz de almacenar hasta 16 Gbytes de datos. El secreto está en la densidad de integración de los transistores, y Toshiba quiere ir un paso más allá.
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Publicado el 5 de abril de 2010 por Javier Pastor
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El fabricante californiano de memorias anuncia un kit de módulos DDR3 que dice son los más rápidos de mercado certificados por Intel para plataformas Core i7, al alcanzar los 2.400 MHz.
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Publicado el 17 de marzo de 2010 por Juan Ranchal
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Samsung Electronics anunció la entrada en producción masiva de los primeros dispositivos de memoria DDR3 con densidad de cuatro gigabits en procesos tecnológicos de 40 nanómetros. Esta tecnología abre el camino para módulos de memoria SODIMM para portátiles de 8 … Sigue leyendo →
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Publicado el 25 de febrero de 2010 por Juan Ranchal
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